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由 **wensan** 發表於週四 11月 06, 2003 1:23 pm

唉！人之患在好為人師.........................................

由 **uuu** 發表於週四 11月 06, 2003 1:27 pm

前輩

柯桑

賣ㄎㄠ我啦

wensan 寫:
mtlin12 寫:Q25、Q26是工作在active區電晶體特性曲線最彎曲的地方沒錯，但是就如切線，
它們的Vbe變化極小，應該沒有線性的問題。問問META42就知道了。

電流放大級的「線性」應該是β值的問題吧？Vbe順向電壓的變化本來就小了啊！要不然乾脆用二極體或「稽納」？

鑽石電路Q25、Q26連帶Q21、Q20的Vbe

我用麵包板試過的結果........

一般電阻負載...Q25、Q26Vbe沒甚麼變化
隨Q21、Q20 Vbe下降一點...Q21、Q20射極電阻壓降增加

2uf PP電容負載在高頻(100Khz)方波
最大輸出時......
Q21、Q20
不過Vbe變化量=原Vbe+射極電阻壓降
Q25、Q26Ic=原設值.
Q21、Q20的Ic=0
Q21、Q20輸出波形......左邊圓化

2mH電感負載在低頻(10hz)方波
最大輸出時......
Q20、Q21
Vbe變化量=原Vbe+射極電阻壓降
Q25、Q26 Ic=原設值.
Q20、Q21的Ic=0
Q20、Q21輸出波形....示波器太爛無法調....看起來沒有變

對不起
發現有錯
我全部更改

由 **skychu** 發表於週四 11月 06, 2003 1:54 pm

mtlin12 寫:...單一級源極隨耦當做前級卻
不如理想，所以以前Ultima-1 沒有前級，直到DB架構成功。我
認為並不是失真的問題，而是討厭的MOS輸入電容難以克服，會影響速度和頻寬。

所以是我誤會Mtlin12兄的設計。在此和各位說 Sorry ! 還請見諒！ :ale:

mtlin12 寫: 當然，各位如果不在乎TIM還沒發生在輸入級，反而先發生在電流放大級，那晚輩也沒有什麼好說的了。

如果您認為Diamond buffer 的SR 比電壓放大級還小, 那我也沒有什麼好說的了。

由 **skychu** 發表於週四 11月 06, 2003 2:04 pm

mtlin12 寫:Q25、Q26是工作在active區電晶體特性曲線最彎曲的地方沒錯，但是就如切線，
它們的Vbe變化極小，應該沒有線性的問題。問問META42就知道了。

就因為Vbe的變化, 所以那些OP IC 才用Diamond buffer.

由 **wensan** 發表於週四 11月 06, 2003 3:32 pm

skychu 寫:
mtlin12 寫: 當然，各位如果不在乎TIM還沒發生在輸入級，反而先發生在電流放大級，那晚輩也沒有什麼好說的了。

如果您認為Diamond buffer 的SR 比電壓放大級還小, 那我也沒有什麼好說的了。

對！對！對！;)

我要強調的就是這個！電壓放大級的偏流是6mA，工作範圍大致上是0~12mA，比Q25、Q26大6倍，呃！錯了，單差動不是互補雙差動，所以工作範圍大致上是0~6mA，比Q25、Q26大3倍，乾脆把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推。

由 **david_hsieh** 發表於週四 11月 06, 2003 4:49 pm

討論了半天,拿去儀器量一量不就知道好不好?
順便跟何博pro5.1和DZ耳擴比一比.大家會很有興趣的.

由 **mtlin12** 發表於週四 11月 06, 2003 6:21 pm

skychu 寫:
mtlin12 寫: 當然，各位如果不在乎TIM還沒發生在輸入級，反而先發生在電流放大級，那晚輩也沒有什麼好說的了。

如果您認為Diamond buffer 的SR 比電壓放大級還小, 那我也沒有什麼好說的了。

澄清一下這句是wensan兄說的，他的語氣和論點與本人有些不同。 :aa:

wensan 寫:同樣是兩級射級隨偶器，小訊號模型不同嗎？

我個人的觀點是小訊號模型相同，但是一般射級隨耦電阻與恆流
源當射級隨耦特性不同。1.阻抗相差很多。2.恆流源當射級隨耦
，其電流不會隨E極電壓高低變化而不同，我想這就是DB的特點。
Q25、Q26射級隨耦阻抗高，輸入阻抗就很高，電容的效應會比較小，
各位高手的看法如何?

由 **wensan** 發表於週四 11月 06, 2003 9:15 pm

david_hsieh 寫:討論了半天,拿去儀器量一量不就知道好不好?

不！不！不！

我不是想得到「測試」的結果，我是想找出正確的理論！

我常覺得網路上有些「電路理論」怪怪的，對一些現象的解釋或以偏蓋全、或似是而非，所以上來「鬧一鬧」。

看得懂的，可以再對這些問題作深入的思考。

看不懂的，就當我是鬧場也無所謂。

由 **mtlin12** 發表於週四 11月 06, 2003 10:12 pm

wensan 寫: 我要強調的就是這個！電壓放大級的偏流是6mA，工作範圍大致上是0~12mA，比Q25、Q26大6倍，呃！錯了，單差動不是互補雙差動，所以工作範圍大致上是0~6mA，比Q25、Q26大3倍，乾脆把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推。

這6mA是向兩顆不便宜的P-CH JFET壓榨出來的，至為寶貴，所以
我就是捨不得亂花用，這不像一般第二級設計以BJT為多，主要就是
提高增益和供應下一級足夠的Ib使用，原本Ultima-1 150W
用DT-01模組時用6mA來推動MOSFET的輸入電容就已經夠受的，
何況是BJT的Q20、Q21 ! :ale:

6mA搭配DB的Q25、Q26高輸入阻抗，讓下面的串疊級恆流源
拉高或拉低電壓動作變得很快，因此Q25、Q26的E極也是隨著
訊號高速浮動，輸出當然是快速的。 :ya:

雙差動JFET+JFET+MOS源極隨耦+MOS源極隨耦輸出是Borbely
的主要架構，這方面DT-01只有跟進的份。 :eeh:

但是單差動JFET+SE-JFET+DB架構，恐怕是DB-01跑第一?! :ya:

我會仔細瞧瞧別人的設計，免得自爽的太早。 :ho:

由 **uuu** 發表於週四 11月 06, 2003 11:01 pm

mtlin12 寫:
wensan 寫: 我要強調的就是這個！電壓放大級的偏流是6mA，工作範圍大致上是0~12mA，比Q25、Q26大6倍，呃！錯了，單差動不是互補雙差動，所以工作範圍大致上是0~6mA，比Q25、Q26大3倍，乾脆把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推。

這6mA是向兩顆不便宜的P-CH JFET壓榨出來的，至為寶貴，所以
我就是捨不得亂花用，這不像一般第二級設計以BJT為多，主要就是
提高增益和供應下一級足夠的Ib使用，原本Ultima-1 150W
用DT-01模組時用6mA來推動MOSFET的輸入電容就已經夠受的，
何況是BJT的Q20、Q21 !

6mA搭配DB的Q25、Q26高輸入阻抗，讓下面的串疊級恆流源
拉高或拉低電壓動作變得很快，因此Q25、Q26的E極也是隨著
訊號高速浮動，輸出當然是快速的。

雙差動JFET+JFET+MOS源極隨耦+MOS源極隨耦輸出是Borbely
的主要架構，這方面DT-01只有跟進的份。
但是單差動JFET+SE-JFET+DB架構，恐怕是DB-01跑第一?!

我會仔細瞧瞧別人的設計，免得自爽的太早。

不如PCB拿來.........要青菜要豆腐自己變
:ya:

由 **mtlin12** 發表於週四 11月 06, 2003 11:32 pm

Sorry，PCB是DZ要"賣"的，我沒有賣。

由 **wensan** 發表於週五 11月 07, 2003 2:21 am

mtlin12 寫:
wensan 寫: 我要強調的就是這個！電壓放大級的偏流是6mA，工作範圍大致上是0~12mA，比Q25、Q26大6倍，呃！錯了，單差動不是互補雙差動，所以工作範圍大致上是0~6mA，比Q25、Q26大3倍，乾脆把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推。

這6mA是向兩顆不便宜的P-CH JFET壓榨出來的，至為寶貴，所以
我就是捨不得亂花用，這不像一般第二級設計以BJT為多，主要就是
提高增益和供應下一級足夠的Ib使用，原本Ultima-1 150W
用DT-01模組時用6mA來推動MOSFET的輸入電容就已經夠受的，
何況是BJT的Q20、Q21 !

6mA搭配DB的Q25、Q26高輸入阻抗，讓下面的串疊級恆流源
拉高或拉低電壓動作變得很快，因此Q25、Q26的E極也是隨著
訊號高速浮動，輸出當然是快速的。

雙差動JFET+JFET+MOS源極隨耦+MOS源極隨耦輸出是Borbely
的主要架構，這方面DT-01只有跟進的份。
但是單差動JFET+SE-JFET+DB架構，恐怕是DB-01跑第一?!

我會仔細瞧瞧別人的設計，免得自爽的太早。

哈哈！晚輩就怕前輩您不想比速度！

skychu大大似乎很懷疑DB-01把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推，迴轉率會比較高。不如我們先撇開增益、頻率響應、失真....等等，單就迴轉率來討論，把問題釐清楚，免得skychu大大把問題憋在心理，憋出毛病來。

有很多人在談迴轉率時，會把頻率響應、頻寬扯進來，其實放大器的迴轉率跟頻率響應、小訊號頻寬沒有直接的關係，要扯頂多扯到「功率頻寬」，也就是放大器在大訊號輸出時，受迴轉率過荷限制的頻寬。「功率頻寬」可能比「小訊號頻寬」寬，也可能比「小訊號頻寬」窄，並不一定。甚至還可以分5V輸出的功率頻寬、10V輸出的功率頻寬......。

要談迴轉率其實談的是電容的充放電！而且電容是無處不在的，任何導體間都有電容存在。電路有雜散電容、電晶體有極際電容，就算不使用「靜電式耳機」或「電容式耳機」，光是耳機線也有電容。
:roll:

而DB-01的Q25、Q26要對什麼電容充放電呢？除了雜散電容、本身的極際電容、Q20、Q21的極際電容外，還有負載電容透過Q20、Q21的基極反映出的等效電容。

但DB-01的電路接法，Q25、Q26有多少能力對這些電容充電呢？因為它是NPN推PNP、PNP推NPN的架構，當推動的晶體導通的越多，被推動的輸出晶體就越趨向截止。當推動的晶體越趨向截止，被推動的輸出晶體就導通的越多。前後的動作相反。可是前後只要有一方截止就不能工作了啊！因此Q25、Q26只能在2mA的範圍變化，對這些電容的最大充電能力只有2mA。
:ho:

但是如果把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推，電壓放大級有多少能力對這些電容充電呢？有6mA耶！

所以不談增益、頻率響應、失真....等等，單就迴轉率來討論，Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推，迴轉率的確會比較高。

由 **mtlin12** 發表於週五 11月 07, 2003 9:52 am

wensan 寫: 哈哈！晚輩就怕前輩您不想比速度！
skychu大大似乎很懷疑DB-01把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推，迴轉率會比較高。不如我們先撇開增益、頻率響應、失真....等等，單就迴轉率來討論，把問題釐清楚，免得skychu大大把問題憋在心理，憋出毛病來。
有很多人在談迴轉率時，會把頻率響應、頻寬扯進來，其實放大器的迴轉率跟頻率響應、小訊號頻寬沒有直接的關係，要扯頂多扯到「功率頻寬」，也就是放大器在大訊號輸出時，受迴轉率過荷限制的頻寬。「功率頻寬」可能比「小訊號頻寬」寬，也可能比「小訊號頻寬」窄，並不一定。甚至還可以分5V輸出的功率頻寬、10V輸出的功率頻寬......。
要談迴轉率其實談的是電容的充放電！而且電容是無處不在的，任何導體間都有電容存在。電路有雜散電容、電晶體有極際電容，就算不使用「靜電式耳機」或「電容式耳機」，光是耳機線也有電容。
而DB-01的Q25、Q26要對什麼電容充放電呢？除了雜散電容、本身的極際電容、Q20、Q21的極際電容外，還有負載電容透過Q20、Q21的基極反映出的等效電容。
但DB-01的電路接法，Q25、Q26有多少能力對這些電容充電呢？因為它是NPN推PNP、PNP推NPN的架構，當推動的晶體導通的越多，被推動的輸出晶體就越趨向截止。當推動的晶體越趨向截止，被推動的輸出晶體就導通的越多。前後的動作相反。可是前後只要有一方截止就不能工作了啊！因此Q25、Q26只能在2mA的範圍變化，對這些電容的最大充電能力只有2mA。
但是如果把Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推，電壓放大級有多少能力對這些電容充電呢？有6mA耶！
所以不談增益、頻率響應、失真....等等，單就迴轉率來討論，Q25、Q26拿掉，直接用電壓放大級來推，迴轉率的確會比較高。

對不起，wensan兄對於DB架構您的推論有基本的錯誤。 :lol:

因為DB的理論文章有些深奧暫時不易理解，用舉OP IC的例子說明好了。

依全華"類比積體電路--雙載子積體電路的分析與設計"第十章頁417，
原書雖然沒有說明是OP-37，但是從3nV/√Hz、17V/us、63MHz GBW...等spec
可以知道談的是OP-37 IC內部的設計，您知道它的DB恆流源
可沒有2mA那麼高，只有上260uA、下340uA (因β值不同) :mad:

但是OP-37的slew rate就高達17V/us!

以20年前來說(我有一些motorola 1984年的IC)，這OP速度很高了。:ya:

若依據wensan兄的理論推導，OP IC或current buffer很多會陣亡的，
可是它們卻依然活躍且佔據META42的輸出端。BUF634 2000V/uS!? :aa:

由 **skyboat** 發表於週五 11月 07, 2003 10:57 am

mtlin12 寫:對不起，wensan兄對於DB架構您的推論有基本的錯誤。
因為DB的理論文章有些深奧暫時不易理解，用舉OP IC的例子說明好了。

依全華"類比積體電路--雙載子積體電路的分析與設計"第十章頁417，
原書雖然沒有說明是OP-37，但是從3nV/√Hz、17V/us、63MHz GBW...等spec
可以知道談的是OP-37 IC內部的設計，您知道它的DB恆流源
可沒有2mA那麼高，只有上260uA、下340uA (因β值不同)

但是OP-37的slew rate就高達17V/us!
以20年前來說(我有一些motorola 1984年的IC)，這OP速度很高了。:ya:

若依據wensan兄的理論推導，OP IC或current buffer很多會陣亡的，
可是它們卻依然活躍且佔據META42的輸出端。BUF634 2000V/uS!?

忽略了 OP-37、BUF634 等的負載測試條件(RL)，光是比較 Slew Rate 數據似乎不妥！
RL≧600Ω，260μA 對 OP-37 的最末級而言，好像蠻夠的耶！

由 **wensan** 發表於週五 11月 07, 2003 11:22 am

mtlin12 寫:對不起，wensan兄對於DB架構您的推論有基本的錯誤。
因為DB的理論文章有些深奧暫時不易理解，用舉OP IC的例子說明好了。

依全華"類比積體電路--雙載子積體電路的分析與設計"第十章頁417，
原書雖然沒有說明是OP-37，但是從3nV/√Hz、17V/us、63MHz GBW...等spec
可以知道談的是OP-37 IC內部的設計，您知道它的DB恆流源
可沒有2mA那麼高，只有上260uA、下340uA (因β值不同)

但是OP-37的slew rate就高達17V/us!
以20年前來說(我有一些motorola 1984年的IC)，這OP速度很高了。:ya:

若依據wensan兄的理論推導，OP IC或current buffer很多會陣亡的，
可是它們卻依然活躍且佔據META42的輸出端。BUF634 2000V/uS!?

晚輩再次強調，迴轉率的問題就是電容的充放電的問題！

如果充放電的電流小，但被充放電的電容更小，迴轉率還是可以提高啊！

OP-37整個Dice的總電容搞不好比功率晶體的極際電容還小。
:roll:

BUF634是Buffer Amplifier，不是OP，它只做電流放大緩衝，根本沒有電壓增益，Slew Rate達到2000V/uS很平常啊！說個誇張一點的，您把Buffer Amplifier的輸入、輸出短路起來，只要您的訊號產生器輸出能力夠強，您要測到多高的Slew Rate不是都可以嗎？

由 **mtlin12** 發表於週五 11月 07, 2003 11:43 am

如果是因為功率晶體的極間電容大的關係，那麼可以用同樣製程
的SMD IC當功率晶體呀! wensan兄您還是執著於錯誤的方向! :lol:

由 **mtlin12** 發表於週五 11月 07, 2003 11:51 am

還有DB-01的輸出就是用分離式元件模擬BUF634當current buffer用，
速度會較慢的因素絕非Q25、Q26的2mA造成的。而是第一、第二級
JFET放大級的原故，wensan兄這您也是執著於錯誤的方向!
:lol:

由 **wensan** 發表於週五 11月 07, 2003 12:00 pm

mtlin12 寫:如果是因為功率晶體的極間電容大的關係，那麼可以用同樣製程
的SMD IC當功率晶體呀! wensan兄您還是執著於錯誤的方向!

晚輩並沒在討論功率晶體的極際電容大還是小，晚輩討論的是同樣的充放電電容，到底是大電流充放電時迴轉率較高，還是小電流充放電時迴轉率較高？(拿掉Q25、Q26用電壓放大級直接推動輸出晶體的DB-01跟DB-01自己比)

由 **mtlin12** 發表於週五 11月 07, 2003 12:01 pm

skyboat 寫:忽略了 OP-37、BUF634 等的負載測試條件(RL)，光是比較 Slew Rate 數據似乎不妥！
RL≧600Ω，260μA 對 OP-37 的最末級而言，好像蠻夠的耶！

BUF634 的datasheet: 20Vp-p RL=100Ω slew rate=2000V/uS typ.
對於耳放而言絕對足夠!

由 **wensan** 發表於週五 11月 07, 2003 12:02 pm

mtlin12 寫:wensan兄這您也是執著於錯誤的方向!

前輩.....，不要用「詭辯學」的下毒伎倆喔！

由 **mtlin12** 發表於週五 11月 07, 2003 12:12 pm

wensan 寫: 晚輩並沒在討論功率晶體的極際電容大還是小，晚輩討論的是同樣的充放電電容，到底是大電流充放電時迴轉率較高，還是小電流充放電時迴轉率較高？(拿掉Q25、Q26用電壓放大級直接推動輸出晶體的DB-01跟DB-01自己比)

1.那DB-01就得改名不能叫做"鑽石前級"了! :ho:

2.您若有機會試驗一下，我的看法是SPEC不會很好，DT-01改
為DB-01花了我6個月時間。 :eeh:

由 **mtlin12** 發表於週五 11月 07, 2003 12:24 pm

[quote="wensan]

前輩.....，不要用「詭辯學」的下毒伎倆喔！[/quote]

當然不是用「詭辯學」的下毒伎倆，否則HEAD-FI不會將DB置頂討論!
http://www4.head-fi.org/forums/showthread.php?s=da2937f82026a02df517a6892a9a3b03&threadid=48270

不敢說是提示方向，而是您可以思考一下如果極間電容根本很少
充放電時將會如何? :ale:

由 **uuu** 發表於週五 11月 07, 2003 1:22 pm

mtlin12啊！
4顆晶體的運用時
不要執著於Q25、Q26的.....2mA
這控制著Q20、Q21輸出的電流能用的數值啊！
真的可以再提高至6mA以上來獲得更多推動餘裕和S\R
不夠的加強不就好啦！ :bs:

各位用BUF634來看(提供電路分析的等效圖也不完整)
只能看到它提供一個BW
來調整相當於Q25、Q26的推動電流
是看不到Vbe導通SR解決方式和相關推動電流對策
不如參考AD BUF04 p.9 fig.29
http://www.analog.com/UploadedFiles/Obsolete_Data_Sheets/820549BUF04.pdf
這些有較為完整的說明和解決方式.....

泥們兩個要的
AD BUF04全打包啦 :ya:

Q25、Q26不會是魂斷處會是新起點的

由 **wensan** 發表於週五 11月 07, 2003 2:03 pm

mtlin12 寫:
wensan 寫: 晚輩並沒在討論功率晶體的極際電容大還是小，晚輩討論的是同樣的充放電電容，到底是大電流充放電時迴轉率較高，還是小電流充放電時迴轉率較高？(拿掉Q25、Q26用電壓放大級直接推動輸出晶體的DB-01跟DB-01自己比)

1.那DB-01就得改名不能叫做"鑽石前級"了!

2.您若有機會試驗一下，我的看法是SPEC不會很好，DT-01改
為DB-01花了我6個月時間。

晚輩是在做「電路分析」，不是在玩音響。

既然是比「迴轉率」，贏100V/uS是贏，贏0.01V/uS還是贏！

:ho: