版主: Jeff, Korping_Chang
mtlin12 寫:看看瑞典人Peranders的SMD Diamond Buffer: 10ns Rise Time多快呀!
Dream_Reader 寫:mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。
看不懂!
mtlin12 寫:Dream_Reader 寫:mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。
看不懂!
就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。
BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。
skyboat 寫:討論偏離 "音頻" ………………………………→ 甚遠!
※增廣見聞也不錯,請繼續。
mtlin12 寫:skyboat 寫:討論偏離 "音頻" ………………………………→ 甚遠!
※增廣見聞也不錯,請繼續。
非也,這些各式各樣的DB Current Buffer很多就是給"Hi"-Fi用的。
日本人說要Low TIM的話,BJT要選擇ft高的,起碼100MHz以上
真的是超高頻嗎? 我用了22pF當回饋電容,想說CUT掉200KHz以上
的"超高頻",幾個老外均期期以為不可,並表示頻寬最好有1MHz!
mtlin12 寫:Dream_Reader 寫:mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。
看不懂!
就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。
BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。
wensan 寫:mtlin12 寫:Dream_Reader 寫:mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。
看不懂!
就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。
BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。
數位電路的電晶體會工作在飽和區與截止區。
在「過度飽和」或「過度截止」的情況下,要轉態會很慢,因為通道寬度的變化要靠載子堆積,而載子的移動需要時間!
在「過度飽和」的情況下,通道堆積過多載子。在「過度截止」的情況下,通道的載子幾乎都跑光了。
所以「過度飽和」跟「過度截止」間的轉態會很慢!
類比電路根本不希望電晶體飽和或截止,通道寬度的變化比數位電路快多了!
74LS系列的TTL比74系列的TTL快就是一個例子。
ECL邏輯更快,因為ECL邏輯電晶體不會飽和!
kvl 寫:哈哈!不是計算的,是用軟體模擬的,在實際應用上1G與379M都不可能,但至少可看出達靈頓比DB快。
kvl 寫:明明說了,我用的模型是mps8099、8599。
加上增益級,也就我先前說的用完整的電路來模擬,兩者的結果都差不多,以我的無迴授後級為基礎,兩者都只剩4MHz左右,換一顆晶體的影響反而大的多。
即使DB真有如您所號稱的高速,但加上增益級,就像在台灣的高速公路開一級放程式賽車一樣,最多也只能跑100。
mtlin12 寫:SPICE的電晶體模型也許只是單純的大訊號模型而已,所以還是
回到重點:究竟是達靈頓快還是DB架構快?
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